電子五所牵头起草一項第三代半导體晶體管測試團體標準
2022年7月18日，由工(gong)信部電子五(wu)所牵头起草的《用於硬開關電路的氮化镓高電(dian)子遷移率晶體管動態导通電(dian)阻測試方法》團體標準(zhun)形成委員會(hui)草案，该項標準委(wei)員會草案按照CASAS標準製定程序，反复斟酌、修(xiu)改、编製而成(cheng)。起草組召開了(le)多次正式或(huo)非正式的專題研討會，得到了(le)很多CASAS正式成員的支持。
T/CASAS 005—202X《用於硬開關電路的氮化镓高電(dian)子遷移率晶體管動態导通電(dian)阻測試方法》標準製定工作源(yuan)於GaN功率器件在動態导(dao)通電阻測試领域的迫切需求。自2021年9月起，预提案單位工業和信息(xi)化部電子第五研究所、佛山市(shi)聯動科技股份有限公司、东南大學、中國科學院苏州納米技(ji)術與納米仿(fang)生研究所、珠海镓未來科技(ji)有限公司等多(duo)家行業重點單位開展了深入討论，共同確定启(qi)動该標準製定的準備工作(zuo)。 各參與單(dan)位一致認(ren)同基於硬開關電路的GaN HEMT電力電子器件動態電阻測試(shi)標準(zhun)製定的必要性及迫切性。在新能源汽车、光伏(fu)逆變、5G電(dian)源等高功率密度應(ying)用领域，GaN功率器件因(yin)具有更低的导通损耗和更快的開關速度而(er)得到廣泛應用，但其動態特性的準確測試方法仍缺乏統一的行業規範。
2021年11月9日，由工業和信息化(hua)部電子(zi)第五研究所、佛山市(shi)聯動科技股份有限公司、东南大學、中國科學院苏州納米技(ji)術與納米仿(fang)生研究所、香港應科院、是德科技有限(xian)公司(si)、泰科天润等多家產學研單位的(de)專(zhuan)家學者組成的標準工作小組，通過腾訊會議平臺召(zhao)開了重要的標準预提案(an)討论會。 會議中，工(gong)業和信息化部電子(zi)第五研究所代表賀致远博士详細介紹了GaN動態导通電阻測試標準的製定背景與发展(zhan)現状(zhuang)，阐述(shu)了(le)標準编製的总體思路與技術路線，並逐項(xiang)呈現(xian)了標準草案的具體内容框架，同時結合實(shi)际應用場景展示了關键性能參数的測試實例。與會各單位的(de)專家针對已準備的文件内容進行了仔細深入的技(ji)術討论與论證，就標(biao)準指(zhi)標體系、測試(shi)方法、技(ji)術要求等方面充分交(jiao)换了意见。
在半导體功(gong)率器件標準化建設的推進背(bei)景下，2021年11月9日，CASAS秘书處根據(ju)CASAS管理辦法以及相關管理文件的規範要(yao)求(qiu)，启動了该(gai)項團體標準的立項程序性工(gong)作。經過前期充分的(de)技術论證與行業調研，標準製定工作稳步(bu)推進。
2022年3月1日，為推進(jin)相關领域標準體系(xi)建設，組建起草組。起草組匯聚了產學研各方的專業力量，成員包括工業和信息化部電子第五研究所、佛山市(shi)聯動科技股份有限公司、东南大學、中國科學院苏州納米技(ji)術與納米仿(fang)生研究所、英諾賽科（珠(zhu)海）科技有限公司、佛山市國星光電股(gu)份有限公司等單位(wei)的技術骨干和專家。 起草組在充分吸收前期意见征求阶段所(suo)收集的反饋建議基(ji)礎上，针對標(biao)準草案的各個章節内容進行了全面系(xi)統的修改與完善，確保標準的(de)科學(xue)性與實用性。
2022年4月1日，秘书處面向全體成員單位发送了委員會標準(zhun)製定的征求意(yi)见通知，旨在充分匯集產業各方的技術(shu)建議(yi)；2022年6月9日，针對前期征求意见阶段收(shou)集到(dao)的意见反饋，秘(mi)书處組織召開了委員會草(cao)案初稿的專題討论會，並定向邀(yao)請了功率半导(dao)體领域的相關專家，進一步擴大了參與(yu)討论的範围和深(shen)度；2022年6月22日，针對動態電阻測試在(zai)何種条件下應判定為稳定这一關(guan)键技術問題，重點邀請了珠海镓未來创(chuang)始人吴毅(yi)鋒教授、浙江大學吴新科(ke)教授等行業專家，围繞持續(xu)脉冲、持續雙脉冲、周期雙脉冲等多種(zhong)測試模式做了深(shen)入的技術交流。
2022年7月18日形(xing)成委員(yuan)會草案。
T/CASAS 005—202X《用於硬開關電路的氮化镓高電(dian)子遷移率晶體管動態导通電(dian)阻測試方法》是一項行業(ye)標(biao)準，專門規(gui)定了在硬開關切换電路工作環(huan)境下，GaN高電子遷移率晶體管(guan)（HEMT）的動態导通電阻測試方法(fa)。该標準涵盖了从器件特性表征到實(shi)际應用評估的全套測試規(gui)範。 本測(ce)試方法適(shi)用於GaN HEMT的生(sheng)產研(yan)发阶段、產品特性表征、量產測試、可靠性(xing)評估及應用評估等多個工作場景。
a) GaN增強型和耗盡型分(fen)立電力電子器件(jian)；
b) GaN集成功率電路；
c) 以上的晶圆級及封(feng)裝(zhuang)級產品。
